对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 外壳材料 | Equivalent | Flux | Gross weight | Melting temperature | Soldering temperature | Transport packaging size/quantity | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 组成 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 设计 | 双电源电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 栅源电压 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 饱和电流 | 直径 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6675BZ | ON Semiconductor | 数据表 | 1002 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 130mg | SILICON | 2.5W Ta | 120 ns | 11A Ta | 4.5V 10V | 1 | 3V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2001 | PowerTrench® | e4 | yes | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 21.8MOhm | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | DUAL | 鸥翼 | FDS6675 | Single | 增强型MOSFET | 2.5W | 3 ns | P-Channel | SWITCHING | 13m Ω @ 11A, 10V | 2470pF @ 15V | 62nC @ 10V | 7.8ns | 30V | ±25V | 60 ns | 11A | -2V | 25V | -30V | -30V | -2 V | 500 pF | 1.5mm | 5mm | 4mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6675BZ. | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6675BZ | Rochester Electronics LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 0.1 kg | 8 | SILICON | 1 | 有 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | POS-60 | - | 107.00 | SOT | 183...190 °C | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 11 A | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 250...265 °C | 36*28*34/300 | spool | e3 | 有 | Soft tin-lead solder Sn/Pb | 哑光锡 | tin - 60%; lead - 40% | DUAL | 鸥翼 | 260 | unknown | 30 | 8 | R-PDSO-G8 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 0.013 Ω | wire | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 500 pF | 1 | 2.0 mm |



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