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'fds6675bz_nl'

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

终端数量

晶体管元件材料

外壳材料

Equivalent

Flux

Gross weight

Melting temperature

Soldering temperature

Transport packaging size/quantity

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

ECCN 代码

类型

电阻

端子表面处理

组成

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

设计

双电源电压

DS 击穿电压-最小值

场效应管技术

栅源电压

反馈上限-最大值 (Crss)

饱和电流

直径

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FDS6675BZ
FDS6675BZ
ON Semiconductor 数据表

1002 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

18 Weeks

Tin

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

130mg

SILICON

2.5W Ta

120 ns

11A Ta

4.5V 10V

1

3V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2001

PowerTrench®

e4

yes

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

1 (Unlimited)

8

SMD/SMT

EAR99

21.8MOhm

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

DUAL

鸥翼

FDS6675

Single

增强型MOSFET

2.5W

3 ns

P-Channel

SWITCHING

13m Ω @ 11A, 10V

2470pF @ 15V

62nC @ 10V

7.8ns

30V

±25V

60 ns

11A

-2V

25V

-30V

-30V

-2 V

500 pF

1.5mm

5mm

4mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

FDS6675BZ.
FDS6675BZ.
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

FDS6675BZ
FDS6675BZ
Rochester Electronics LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

0.1 kg

8

SILICON

1

活跃

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

POS-60

-

107.00

SOT

183...190 °C

ROHS COMPLIANT, SOP-8

11 A

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

小概要

250...265 °C

36*28*34/300

spool

e3

Soft tin-lead solder Sn/Pb

哑光锡

tin - 60%; lead - 40%

DUAL

鸥翼

260

unknown

30

8

R-PDSO-G8

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

SWITCHING

P-CHANNEL

0.013 Ω

wire

30 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

500 pF

1

2.0 mm