BLF25M612G,118
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Ampleon USA Inc. BLF25M612G,118

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型号

BLF25M612G,118

utmel 编号

144-BLF25M612G,118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

SOT-975C

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

起订量

1最小包装量--

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BLF25M612G,118
BLF25M612G,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

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BLF25M612G,118详情

Ampleon USA Inc. BLF25M612G,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 包装/外壳

    SOT-975C

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    65V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    2.45GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BLF25M612

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    S-CDSO-G2

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    10mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    19dB

  • DS 击穿电压-最小值

    65V

  • 功率 - 输出

    12W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    28V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Ampleon USA Inc. BLF25M612G,118.

BLF25M612G,118拓展信息

BLF8G09LS-400PGWQ
BLF8G09LS-400PGWQ

Ampleon USA Inc.

CLF1G0035S-100PU
CLF1G0035S-100PU

Ampleon USA Inc.

BLP8G10S-45PGY
BLP8G10S-45PGY

Ampleon USA Inc.

BLF7G22LS-200,118
BLF7G22LS-200,118

Ampleon USA Inc.

BLF573S,112
BLF573S,112

Ampleon USA Inc.

BLF578,112
BLF578,112

Ampleon USA Inc.

BLF888A,112
BLF888A,112

Ampleon USA Inc.

BLF881S,112
BLF881S,112

Ampleon USA Inc.

BLF8G27LS-140V,112
BLF8G27LS-140V,112

Ampleon USA Inc.

CLF1G0035-100,112
CLF1G0035-100,112

Ampleon USA Inc.

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