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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥694.524586
10
¥655.211875
100
¥618.124411
500
¥583.136237
1000
¥550.128524
Ampleon USA Inc. BLF6G10LS-200RN:11
- 收藏
- 对比
BLF6G10LS-200RN:11
144-BLF6G10LS-200RN:11
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
SOT-502B
大陆
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RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BLF6G10LS-200RN:11详情
Ampleon USA Inc. BLF6G10LS-200RN:11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
SOT-502B
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
65V
包装
Tray
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
额定电流
49A
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
871.5MHz~891.5MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BLF6G10
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFP-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
1.4A
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
20dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
49A
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
40W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BLF6G10LS-200RN:11拓展信息
Ampleon USA Inc.
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