Ampleon USA Inc. BLF8G19LS-170BVU
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BLF8G19LS-170BVU
144-BLF8G19LS-170BVU
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
SOT-1120B
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RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
1最小包装量--
BLF8G19LS-170BVU详情
Ampleon USA Inc. BLF8G19LS-170BVU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
SOT-1120B
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Voltage Rated
65V
包装
Tray
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
QUAD
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
1.94GHz~1.99GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CQFP-X6
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
测试电流
1.3A
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual), Common Source
增益
18dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
60W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
32V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BLF8G19LS-170BVU拓展信息
Ampleon USA Inc.
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