Ampleon USA Inc. BLF8G27LS-100PJ
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BLF8G27LS-100PJ
144-BLF8G27LS-100PJ
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
SOT-1121B
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RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
1最小包装量--
BLF8G27LS-100PJ详情
Ampleon USA Inc. BLF8G27LS-100PJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-1121B
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
2.5GHz~2.7GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BLF8G27
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFP-F4
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
测试电流
860mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual), Common Source
增益
18dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
25W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BLF8G27LS-100PJ拓展信息
Ampleon USA Inc.
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