Ampleon USA Inc. BLP10H603AZ
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BLP10H603AZ
144-BLP10H603AZ
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
12-VDFN Exposed Pad
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RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
1最小包装量--
BLP10H603AZ详情
Ampleon USA Inc. BLP10H603AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
12-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
104V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
12
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
860MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N12
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
15mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
JEDEC-95代码
MO-229
增益
22.8dB
DS 击穿电压-最小值
104V
功率 - 输出
2.5W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BLP10H603AZ拓展信息
Ampleon USA Inc.
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