Ampleon USA Inc. BLS6G3135-120,112
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BLS6G3135-120,112
144-BLS6G3135-120,112
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
SOT-502A
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RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A
1最小包装量--
BLS6G3135-120,112详情
Ampleon USA Inc. BLS6G3135-120,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
SOT-502A
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
225°C
Voltage Rated
60V
包装
Tray
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
额定电流
7.2A
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
3.1GHz~3.5GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BLS6G3135
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFM-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
100mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
11dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.2A
DS 击穿电压-最小值
60V
功率 - 输出
120W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
32V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BLS6G3135-120,112拓展信息
Ampleon USA Inc.
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