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Analog Devices ADG636YRUZ-R2
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ADG636YRUZ-R2
153-ADG636YRUZ-R2
无类别的
DO-213AB, MELF (Glass)
大陆
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ADG636YRUZ-R2详情
Analog Devices ADG636YRUZ-R2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-213AB, MELF (Glass)
供应商器件包装
DO-213AB (MELF, LL41)
Package
Bulk
Impedance (Max) (Zzt)
1100 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-65°C ~ 175°C (TA)
系列
Military, MIL-PRF-19500/115
容差
±1%
反向泄漏电流@ Vr
500 nA @ 121.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
功率 - 最大
1.5 W
电压 - 齐纳（标准值）（Vz）
160 V
ADG636YRUZ-R2拓展信息
公司资质
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