ADG715BRU-R2
ADG715BRU-R2

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Analog Devices ADG715BRU-R2

  • 收藏
  • 对比

型号

ADG715BRU-R2

utmel 编号

153-ADG715BRU-R2

商品类别

无类别的

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ADG715BRU-R2 datasheet pdf and Unclassified product details from Analog Devices stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
ADG715BRU-R2
ADG715BRU-R2 Analog Devices

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

ADG715BRU-R2详情

Analog Devices ADG715BRU-R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 供应商器件包装

    -

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    MSCSM70

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    585A (Tc)

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -40°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    Silicon Carbide (SiC)

  • 配置

    2 N Channel (Phase Leg)

  • 功率 - 最大

    1.625kW (Tc)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.8mOhm @ 200A, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 20mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    22500pF @ 700V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1075nC @ 20V

  • 漏源电压 (Vdss)

    700V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

ADG715BRU-R2拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS