Analog Devices AM4841P-T1-PF
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AM4841P-T1-PF
153-AM4841P-T1-PF
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AM4841P-T1-PF详情
Analog Devices AM4841P-T1-PF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
SOP-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
AM4841P-T1-PF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Analog Power
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ANALOG POWER INC
Risk Rank
5.74
Drain Current-Max (ID)
7.7 A
包装
Bulk
容差
0.1 %
JESD-609代码
e3
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
25 ppm/°C
电阻
4.12 kΩ
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
额定功率
250 mW
最大功率耗散
250 mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
军用标准
MIL-PRF-55182
JESD-30代码
R-PDSO-G8
失败率
0.001 %
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.035 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Military, Moisture Resistant, Weldable
宽度
2.46 mm
长度
7.112 mm
直径
2.39 mm
无铅
含铅
AM4841P-T1-PF拓展信息







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