DS1245AB-120
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Analog Devices DS1245AB-120

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型号

DS1245AB-120

utmel 编号

153-DS1245AB-120

商品类别

存储器

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120 ns 32-EDIP

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DS1245AB-120
DS1245AB-120 Analog Devices NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120 ns 32-EDIP

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DS1245AB-120详情

Analog Devices DS1245AB-120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 引脚数

    32

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Number of Words

    128000

  • RoHS

    Compliant

  • Memory Types

    Non-Volatile, RAM, SRAM

  • MSL

    MSL 1 - Unlimited

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    DS1245AB

  • 厂商

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-39017/02, RLR20

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 尺寸/尺寸

    0.138 Dia x 0.375 L (3.51mm x 9.53mm)

  • 容差

    ±1%

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±100ppm/°C

  • 电阻

    48.7 Ohms

  • 最高工作温度

    70 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.5W, 1/2W

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    4.75V ~ 5.25V

  • 频率

    120 GHz

  • 工作电源电压

    5 V

  • 失败率

    R (0.01%)

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    5.25 V

  • 最小电源电压

    4.75 V

  • 内存大小

    128 kB

  • 工作电源电流

    85 mA

  • 负载电容

    5 pF

  • 访问时间

    70 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8 b

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    120ns

  • 地址总线宽度

    8 b

  • 密度

    1 Mb

  • 特征

    Military, Moisture Resistant, Weldable

  • 组织的记忆

    128K x 8

  • 座位高度(最大)

    --

  • 宽度

    18.8 mm

  • 高度

    10.92 mm

  • 长度

    44.2 mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Analog Devices DS1245AB-120.

DS1245AB-120拓展信息

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