DS1245W-100
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Analog Devices DS1245W-100

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型号

DS1245W-100

utmel 编号

153-DS1245W-100

商品类别

存储器

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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DS1245W-100
DS1245W-100 Analog Devices IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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DS1245W-100 详情

Analog Devices DS1245W-100 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 1 month ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    32

  • 供应商器件包装

    32-EDIP

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Base Product Number

    DS1245W

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Manufacturer Lifecycle Status

    PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

  • RoHS

    Compliant

  • Maximum Operating Temperature

    + 70 C

  • Supply Voltage-Max

    3.6 V

  • Minimum Operating Temperature

    0 C

  • Supply Voltage-Min

    3 V

  • Interface Type

    Parallel

  • 操作温度

    -10°C ~ 70°C

  • 系列

    STC21C

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

  • 类型

    TCXO

  • 最高工作温度

    70 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    2.8V

  • 频率

    16.384 MHz

  • 频率稳定性

    ±2.5ppm

  • 输出量

    CMOS

  • 功能

    Standby (Power Down)

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    10mA

  • 工作电源电压

    3.3 V

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    -

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    3.6 V

  • 最小电源电压

    3 V

  • 内存大小

    1Mbit

  • 工作电源电流

    50 mA

  • 扩频带宽

    -

  • 访问时间

    100 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8 b

  • 组织结构

    128 k x 8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    100ns

  • 密度

    1 Mb

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 组织的记忆

    128K x 8

  • 座位高度(最大)

    0.031 (0.80mm)

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

  • 无铅

    含铅

  • 评级结果

    -

0个相似型号

技术文档: Analog Devices DS1245W-100 .

DS1245W-100 拓展信息

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