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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥68.04175
10
¥64.190331
100
¥60.556918
500
¥57.129162
1000
¥53.895444
Analog Devices MAX2602ESA
- 收藏
- 对比
MAX2602ESA
153-MAX2602ESA
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
大陆
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MAX2602ESA 详情
Analog Devices MAX2602ESA 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC-EP
质量
540.001716 mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15 V
hFEMin
100
RoHS
Compliant
MSL
MSL 1 - Unlimited
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
1.2A
Base Product Number
MAX2602
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
Emitter- Base Voltage VEBO
2.3 V
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
100
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
17 V
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
6.4 W
技术
Si
频率
900 MHz
工作频率
900 MHz
极性
NPN
配置
Single
最大电源电压
3.6 V
元素配置
Single
功率 - 最大
6.4W
增益带宽积
1 GHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
17 V
最大集电极电流
1.2 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 250mA, 3V
增益
11.6 dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V
最高频率
1 GHz
转换频率
1 GHz
频率转换
1GHz
集电极基极电压(VCBO)
15 V
发射极基极电压 (VEBO)
2.3 V
连续集电极电流
200 mA
噪音数字(分贝类型@ f)
3.3dB @ 836MHz
宽度
3.99 mm
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
MAX2602ESA 拓展信息






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