Analog Devices, Inc. LTD35N10

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

LTD35N10

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

40 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.029 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR