Anpec APM3112NUC-TRG

包装/外壳

28-SSOP (0.209, 5.30mm Width)

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of I/Os

24

Data Converters

--

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APM3112NUC-TRG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

American Power Devices Inc

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ANPEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.76

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

50 A

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

Z8® GP™

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

ZGP323H

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

振荡器类型

Internal

速度

8MHz

内存大小

237 x 8

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

2 V ~ 5.5 V

核心处理器

Z8

箱体转运

DRAIN

周边设备

HLVD, POR, WDT

程序存储器类型

OTP

芯尺寸

8-Bit

程序内存大小

4KB (4K x 8)

连接方式

--

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

EEPROM 大小

--

漏极-源极导通最大电阻

0.012 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

compliant