AVAGO AT32033-TR1G
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AT32033-TR1G
236-AT32033-TR1G
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
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大陆
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Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:5.5V; Continuous Collector Current, Ic:32mA; Power Dissipation, Pd:200mW; DC Current Gain Min (hfe):70 ;RoHS Compliant: Yes
--最小包装量--
AT32033-TR1G详情
AVAGO AT32033-TR1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Overall Height (mm)
3.2
Overall Height (in)
0.125
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
AT-32033-TR1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Broadcom Limited
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
BROADCOM LTD
Risk Rank
5.12
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.032 A
最小直流增益(hFE)
70
集电极-发射器电压-最大值
5.5 V
最高频段
超高频段
AT32033-TR1G拓展信息







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