VMMK-1225-TR1G
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Avago VMMK-1225-TR1G

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型号

VMMK-1225-TR1G

品牌

Avago

utmel 编号

236-VMMK-1225-TR1G

商品类别

射频放大器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, ROHS COMPLIANT, 1.05 X 0.55MM, 0.25MM HEIGHT, SUBMINIATURE, LEADLESS PACKAGE-3

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VMMK-1225-TR1G Avago L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, ROHS COMPLIANT, 1.05 X 0.55MM, 0.25MM HEIGHT, SUBMINIATURE, LEADLESS PACKAGE-3

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VMMK-1225-TR1G详情

Avago VMMK-1225-TR1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    砷化镓

  • Package Description

    CHIP CARRIER, R-XDCC-N8

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    VMMK-1225-TR1G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Avago Technologies

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    AVAGO TECHNOLOGIES INC

  • Risk Rank

    5.84

  • Drain Current-Max (ID)

    0.05 A

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8542.33.00.01

  • 子类别

    FET 射频小信号

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-XDCC-N8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.05 A

  • DS 击穿电压-最小值

    5 V

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 最高频段

    L带

  • 环境耗散-最大值

    0.25 W

  • 功率增益-最小值(Gp)

    8.7 dB

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VMMK-1225-TR1G拓展信息

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