VMMK-1225-TR1G详情
Avago VMMK-1225-TR1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
砷化镓
Package Description
CHIP CARRIER, R-XDCC-N8
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
VMMK-1225-TR1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Avago Technologies
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
AVAGO TECHNOLOGIES INC
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
0.05 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8542.33.00.01
子类别
FET 射频小信号
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-XDCC-N8
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.05 A
DS 击穿电压-最小值
5 V
场效应管技术
高电子迁移率
最高频段
L带
环境耗散-最大值
0.25 W
功率增益-最小值(Gp)
8.7 dB
VMMK-1225-TR1G拓展信息
AVAGO TECHNOLOGIES INC
AVAGO TECHNOLOGIES INC
Avago
AVAGO TECHNOLOGIES INC
AVAGO TECHNOLOGIES INC
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