Banner Engineering AP1003BST

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

AP1003BST

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Package Description

CHIP CARRIER, R-XBCC-N3

Risk Rank

5.71

Drain Current-Max (ID)

17.3 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0047 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

28.8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR