Bel Fuse Inc 08B

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

SI2308BDS-T1-GE3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Siliconix

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Samacsys Description

SI2308BDS-T1-GE3, N-channel MOSFET Transistor 1.9 A 60 V, 3-Pin SOT-23

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Risk Rank

7.12

Part Package Code

SOT-23

Drain Current-Max (ID)

1.9 A

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Silver (Ag)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.156 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.66 W

宽度

43.9 mm

高度

23.6 mm

直径

17.5 mm