Bel Power Solutions LDP2010DT1G

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

LDP2010DT1G

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

LESHAN RADIO CO LTD

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.07 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR