BI Technologies BCN4D1000F7

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK (TO-263)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

3.13W (Ta), 87W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360mOhm @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

830 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-