BI Technologies BPR32R4F
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BPR32R4F
306-BPR32R4F
无类别的
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Thick Film Resistors - Through Hole
1最小包装量--
BPR32R4F详情
BI Technologies BPR32R4F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
表面安装
NO
端子形状
FLAT
越来越多的功能
通孔安装
供应商器件包装
D2PAK
终端数量
2
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
厂商
International Rectifier
Package Description
,
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
155 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BPR32R4F
Package Shape
矩形包装
Manufacturer
TT electronics / BI Technologies
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
BI TECHNOLOGIES CORP
Risk Rank
5.69
Manufacturer Series
BPR
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
HEXFET®
容差
1%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
温度系数
100 ppm/°C
电阻
2.4 Ω
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
NON-INDUCTIVE, RATED AC VOLTAGE(V):300
HTS代码
8533.21.00.90
子类别
固定电阻器
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电阻器类型
固定电阻
Reach合规守则
compliant
额定功率损耗(P)
3 W
工作电压
500 V
额定温度
70 °C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
40mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
700 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
BPR32R4F拓展信息







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