BI Technologies OP570
- 收藏
- 对比
OP570
306-OP570
光学传感器 - 光电晶体管
--
大陆
立即发货

Phototransistor Chip Silicon NPN Transistor 935nm 2-Pin SMD
1最小包装量--
OP570详情
BI Technologies OP570重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-25 °C
最大功率耗散
130 mW
方向
顶视图
工作电源电压
30 V
极性
NPN
功率耗散
130 mW
视角
25 °
上升时间
15 µs
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
20 mA
消耗功率
130 mW
波长
935 nm
峰值波长
900 nm
暗电流
100 nA
宽度
2 mm
长度
2.5 mm
无铅
无铅
OP570拓展信息







哦! 它是空的。