BI Technologies P166P11R3NB203

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

150 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

25

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

75 V

Voltage, Rating

200 VAC

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1600

Shaft Type

Round / Plain

Shaft Length

20 mm

包装

Tray

系列

P166

容差

20 %

类型

射频双极功率

电阻

20 kOhms

子类别

Transistors

额定功率

200 mW (1/5 W)

技术

Si

方向

水平调节

终端样式

焊片

工作频率

225 MHz

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

转弯数量

1 Turn

锥度

Linear

插座数量

1 Gang

连续集电极电流

15 A

元素类型

导电塑料

产品

Potentiometer

产品类别

射频双极晶体管

轴径

6 mm