Bivar BIVSM1206SRC

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-4

供应商器件包装

TO-247-4L

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

厂商

PN Junction Semiconductor

Power Dissipation (Max)

110W

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

P3M

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

192mOhm @ 10A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 2.5mA (Typ)

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

+21V, -8V

场效应管特性

-