Bourns 4816T-1-5002BAB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

供应商器件包装

LFPAK56, Power-SO8

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

89A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

195W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

98mOhm @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

498 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51.6 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

80 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-