Bourns 699-8433-3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

供应商器件包装

8-HVSON (5x6)

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

PHM25

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

62.5W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26.6 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-