BDW83B详情
Bourns BDW83B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BDW83B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.26
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-218
最大耗散功率(Abs)
3.5 W
集电极电流-最大值(IC)
15 A
最小直流增益(hFE)
750
集电极-发射器电压-最大值
80 V
BDW83B拓展信息
Bourns Inc.
Bourns Inc.
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