CD214B-T110CLF
CD214B-T110CLF

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Bourns CD214B-T110CLF

  • 收藏
  • 对比

型号

CD214B-T110CLF

品牌

Bourns

utmel 编号

337-CD214B-T110CLF

商品类别

无类别的

封装

84-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TVS Diode; Reverse Stand-Off Voltage, VRWM: 110V; Package/Case: DO-214AA; Breakdown Voltage, Vbr: 122V; Diode Type:...

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
CD214B-T110CLF
CD214B-T110CLF Bourns TVS Diode; Reverse Stand-Off Voltage, VRWM: 110V; Package/Case: DO-214AA; Breakdown Voltage, Vbr: 122V; Diode Type:...

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

CD214B-T110CLF详情

Bourns CD214B-T110CLF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    84-TFBGA

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    84-FBGA (8x12.5)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    NDB16

  • 厂商

    Insignis Technology Corporation

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Breakdown Voltage / V

    122 V

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 操作温度

    0°C ~ 85°C (TC)

  • 系列

    NDB1L

  • 技术

    SDRAM - DDR2

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.9V

  • 内存大小

    1Gbit

  • 时钟频率

    400 MHz

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    SSTL_18

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 组织的记忆

    64M x 16

0个相似型号

CD214B-T110CLF拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS