Bourns Inc. BDV65B-S

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-218-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-93

Number of Elements

1

hFEMin

1000

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1993

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

最大功率耗散

3.5W

基本部件号

BDV65

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

3.5W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 4V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 20mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

4.9mm

长度

15.2mm

高度

12.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant