Bourns, Inc. TIP112-S
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TIP112-S
337-TIP112-S
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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TIP112-S datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Bourns, Inc. stock available at utmel
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TIP112-S详情
Bourns, Inc. TIP112-S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
EU RoHS
符合免除
ECCN (US)
EAR99
Automotive
无
PPAP
无
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
4
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)
1000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
2.5@8mA@2A
Minimum DC Current Gain
1000@1A@4V|500@2A@4V
Maximum Power Dissipation (mW)
50000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Mounting
通孔
Package Height
8.72(Max)
Package Width
4.7(Max)
Package Length
10.4(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220
Lead Shape
通孔
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
零件状态
Obsolete
类型
NPN
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
引脚数量
3
极性
NPN
配置
Single
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
集电极基极电压(VCBO)
100 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
辐射硬化
无
TIP112-S拓展信息








哦! 它是空的。