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Bourns, Inc. TIPP32C-S
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TIPP32C-S
337-TIPP32C-S
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
--
大陆
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TIPP32C-S datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Bourns, Inc. stock available at utmel
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TIPP32C-S详情
Bourns, Inc. TIPP32C-S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
材料
Si
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Automotive
无
PPAP
无
Category
双极电源
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
1@375mA@2A
Maximum DC Collector Current (A)
2
Minimum DC Current Gain
20@1A@4V|10@2A@4V
Maximum Power Dissipation (mW)
800
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Mounting
通孔
Package Height
5.34(Max)
Package Width
4.19(Max)
Package Length
5.21(Max)
PCB changed
3
Standard Package Name
TO-92
Supplier Package
TO-92
Lead Shape
通孔
零件状态
Obsolete
类型
PNP
引脚数量
3
配置
Single
TIPP32C-S拓展信息
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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