Bourns - J.W. Miller BDV65C
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BDV65C
337-BDV65C
集成电路(IC)
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大陆
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Darlington Transistors 125W 12A NPN
--最小包装量--
BDV65C详情
Bourns - J.W. Miller BDV65C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BDV65C
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
康赛特半导体
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.67
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
DARLINGTON
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
125 W
集电极电流-最大值(IC)
12 A
最小直流增益(hFE)
1000
集电极-发射器电压-最大值
120 V
VCEsat-最大值
2 V
环境耗散-最大值
3.5 W
BDV65C拓展信息
Bourns - J.W. Miller
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Bourns - J.W. Miller
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