BYTe Semiconductor BY25D40ASMIG(R)
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BY25D40ASMIG(R)
337-BY25D40ASMIG(R)
存储器
8-UFDFN Exposed Pad
大陆
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4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
1最小包装量--
BY25D40ASMIG(R)详情
BYTe Semiconductor BY25D40ASMIG(R)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-UFDFN Exposed Pad
供应商器件包装
8-USON (2x3)
厂商
BYTe Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
零件状态
活跃
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
内存大小
4Mbit
时钟频率
108 MHz
访问时间
7 ns
内存格式
FLASH
内存接口
SPI - Dual I/O
写入周期时间 - 字符、页面
2.4ms
峰值断电电压-最小值
Non-Volatile
组织的记忆
512K x 8
BY25D40ASMIG(R)拓展信息
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