Catalyst Semiconductor 59C11/P
- 收藏
- 对比
59C11/P
404-59C11/P
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

59C11/P datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Catalyst Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
59C11/P详情
Catalyst Semiconductor 59C11/P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
8
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Style
IN-LINE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
DIP8,.3
Package Code
DIP
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
70 °C
Number of Words Code
64
Number of Words
64 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
1 MHz
Risk Rank
5.6
Package Description
0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
Part Package Code
DIP
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
59C11/P
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDIP-T8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.004 mA
组织结构
64X16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.064 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
1024 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
4-WIRE
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
15 ms
数据保持时间
200
写入保护
SOFTWARE
备用内存宽度
8
宽度
7.62 mm
长度
9.9695 mm
59C11/P拓展信息
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor







哦! 它是空的。