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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NE651R479A-T1-A
NE651R479A-T1-A
NE651R479A-T1-A

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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CEL NE651R479A-T1-A

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型号

NE651R479A-T1-A

品牌

CEL

utmel 编号

414-NE651R479A-T1-A

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

4-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF JFET Transistors L&S Band GaAs HJFET

起订量

1最小包装量--

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NE651R479A-T1-A
NE651R479A-T1-A CEL RF JFET Transistors L&S Band GaAs HJFET

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NE651R479A-T1-A详情

技术参数

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CEL NE651R479A-T1-A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    4-SMD, Flat Leads

  • 引脚数

    4

  • 供应商器件包装

    79A

  • Voltage Rated

    8V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 额定电流

    1A

  • 频率

    1.9GHz

  • 功率耗散

    2.5W

  • 测试电流

    50mA

  • 晶体管类型

    HFET

  • 连续放电电流(ID)

    220mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 增益

    12dB

  • 漏源击穿电压

    12V

  • 功率 - 输出

    27dBm

  • 电压-测试

    3.5V

  • 最小击穿电压

    3.5V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: CEL NE651R479A-T1-A.

NE651R479A-T1-A拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

NE3210S01-T1B

型号：NE3210S01-T1B

封装：4-SMD

品牌：CEL

库存：0

询价
NE3515S02-T1C-A

型号：NE3515S02-T1C-A

封装：4-SMD, Flat Leads

品牌：CEL

库存：0

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NE4210S01-T1B

型号：NE4210S01-T1B

封装：4-SMD

品牌：CEL

库存：0

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CE3524K3-C1

型号：CE3524K3-C1

封装：--

品牌：CEL (California Eastern Laboratories)

库存：0

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NE3514S02-T1C-A

型号：NE3514S02-T1C-A

封装：4-SMD, Flat Leads

品牌：CEL

库存：0

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NE5531079A-T1A-A

型号：NE5531079A-T1A-A

封装：4-SMD, Flat Leads

品牌：CEL

库存：0

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