Central CTOC1210-251K

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

125

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

0.05

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SUBSTRATE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-206AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.05

漏极-源极导通最大电阻

70

DS 击穿电压-最小值

30

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.3

反馈上限-最大值 (Crss)

0.5