Central Semiconductor 1N756ATR

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Impedance (Max) (Zzt)

8 Ohms

RoHS

Compliant

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reference Voltage-Nom

8.2 V

Manufacturer Part Number

1N756A.TR

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.08

Part Package Code

DO-35

操作温度

-65°C ~ 200°C

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

容差

±5%

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

500 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

8 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 1V

功率耗散

500 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5V @ 200mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500mW

最大反向漏电电流

100 nA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

8.2V

齐纳电压

8.2 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

20 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

45 mA