Central Semiconductor 2N6432

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-18

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N6432

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.36

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

--

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1.8W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

最大集极截止电流

250nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-18

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

200V

频率转换

50MHz

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

200 V

VCEsat-最大值

0.5 V

集电极-基极电容-最大值

6 pF

环境耗散-最大值

0.5 W