Central Semiconductor BCY59-VIII
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BCY59-VIII
420-BCY59-VIII
集成电路(IC)
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
1最小包装量--
BCY59-VIII详情
Central Semiconductor BCY59-VIII重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供应商器件包装
TO-18
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BCY59-VIII
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description
HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
Risk Rank
5.37
Number of Elements
1
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Turn-off Time-Max (toff)
800 ns
Turn-on Time-Max (ton)
150 ns
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
--
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
配置
SINGLE
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
10nA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-18
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 2.5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
频率转换
150MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
45
集电极-发射器电压-最大值
45 V
BCY59-VIII拓展信息
Central Semiconductor
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