Central Semiconductor BCY79-VII
- 收藏
- 对比
BCY79-VII
420-BCY79-VII
集成电路(IC)
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
大陆
立即发货

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
1最小包装量--
BCY79-VII详情
Central Semiconductor BCY79-VII重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供应商器件包装
TO-18
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BCY79-VII
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.25
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Turn-off Time-Max (toff)
400 ns
Turn-on Time-Max (ton)
100 ns
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
--
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-18
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
800mV @ 2.5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
频率转换
100MHz
最大耗散功率(Abs)
0.6 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
45 V
BCY79-VII拓展信息
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor







哦! 它是空的。