Central Semiconductor CDM2206-800LR

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

6 A

Risk Rank

5.7

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer Part Number

CDM2206-800LR

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

RoHS

Non-Compliant

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Central Semiconductor Corp

Power Dissipation (Max)

110W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

474.7 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.3 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

800 V

Vgs（最大值）

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.95 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

110 W

场效应管特性

-

无铅

无铅