Central Semiconductor CMKT5078TR

表面安装

YES

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件包装

SOT-363

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CMKT5078TR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Risk Rank

5.72

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

2

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

RoHS

Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

350 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500 mV

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V

最大集极截止电流

50nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V, 50V

转换频率

40 MHz

最大击穿电压

50 V

频率转换

50MHz, 40MHz

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

300

集电极-发射器电压-最大值

30 V

无铅

无铅