Central Semiconductor CMLT2907ATR

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

底架

表面贴装

供应商器件包装

SOT-563

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CMLT2907ATR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

PLASTIC PACKAGE-6

Risk Rank

4.38

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

100 ns

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

RoHS

Compliant

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

350 mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

1.6 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

200 MHz

最大击穿电压

60 V

频率转换

200MHz

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V