Central Semiconductor CMNTVS12VTR
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CMNTVS12VTR
420-CMNTVS12VTR
静电控制,防静电,ESD,无尘室产品
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Trans Voltage Suppressor Diode, 18W, 9V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon, 1 X 0.80 MM PACKAGE-5
1最小包装量--
CMNTVS12VTR详情
Central Semiconductor CMNTVS12VTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
5
Package Description
1 X 0.80 MM PACKAGE-5
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CMNTVS12VTR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Breakdown Voltage-Nom
12 V
Risk Rank
5.6
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
LOW CAPACITANCE
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
瞬态抑制器
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
9 V
最大非代表峰值转速功率Dis
18 W
击穿电压-最小值
11.4 V
最大箝位电压
18 V
击穿电压-最大值
12.7 V
CMNTVS12VTR拓展信息







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