Central Semiconductor CMPT2907ATR

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CMPT2907ATR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5.15

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

100 ns

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

200MHz

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

60 V

VCEsat-最大值

1.6 V

集电极-基极电容-最大值

8 pF