Central Semiconductor CMUDM7001TR

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

供应商器件包装

SOT-523

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CMUDM7001TR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3

Risk Rank

5.14

Drain Current-Max (ID)

0.1 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Power Dissipation (Max)

250mW (Ta)

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ohm @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9pF @ 3V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.57nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

10V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1 A

漏极-源极导通最大电阻

4 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

场效应管特性

--