Central Semiconductor CMXDM7002ATR

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-23-6

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-26

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CMXDM7002ATR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SUPERMINI PACKAGE-6

Risk Rank

5.11

Drain Current-Max (ID)

0.28 A

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280mA

Other Names

CMXDM7002A TR PBFREE CMXDM7002A TR-ND CMXDM7002ATR

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.59nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.28 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF