Central Semiconductor CP775-CWDM3011P-CT

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

供应商器件包装

Die

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

UNCASED CHIP

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

11 A

Risk Rank

5.76

Package Description

UNCASED CHIP, R-XUUC-N2

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer Part Number

CP775-CWDM3011P-CT

Package

Tray

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Central Semiconductor Corp

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUUC-N2

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3100 pF @ 8 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11 A

漏极-源极导通最大电阻

0.02 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-