Central Semiconductor CTLM7410-M832DTR
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CTLM7410-M832DTR
420-CTLM7410-M832DTR
集成电路(IC)
8-TDFN Exposed Pad
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CTLM7410-M832DTR详情
Central Semiconductor CTLM7410-M832DTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TDFN Exposed Pad
供应商器件包装
TLM832D
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
CTLM7410-M832DTR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description
3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10
Risk Rank
5.84
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
厂商
Central Semiconductor Corp
Product Status
Obsolete
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
Reach合规守则
compliant
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-N8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.65W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
2 PNP (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
25V
频率转换
100MHz
最大耗散功率(Abs)
1.65 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
25 V
CTLM7410-M832DTR拓展信息
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